Výroba 8" křemíkových desek
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., právní nástupce se zabývá výzkumem, vývojem a výrobou polovodičových součástek a výzkumem, vývojem a výrobou křemíkových (Si) desek pro výrobu polovodičových součástek. Výroba Si desek zahrnuje kompletní proces 1) růstu krystalů Czochralskiho metodou 2) zpracování krystalů ? rozčlenění a měření parametrů krystalu, broušení povrchu, orientaci krystalu a broušení fazety, 3) řezání krystalu na Si desky, zaoblování, lapování, leptání desek, 4) mechanické broušení a chemicko-mechanické leštění a mytí desek, 5) epitaxní růst vrstevnatých struktur, případně růst vrstev SiO2 a polykrystalického Si. Současné portfolio výrobků zahrnuje Si desky průměru 100 a 150 mm, krystalografické orientace (100) a (111), dopované B, As, P, Sb (v rozsahu koncentrací 1E14?1E20 cm-3).
Předmětem inovačního projektu je výroba Si desek průměru 200 mm. Inovace na úrovni produktu i procesu je přímo iniciována požadavky zákazníka a navazuje na již ukončenou fázi výzkumu a vývoje.V roce 2007, v rámci projektu programu IMPULS FI-IM2/131 ?Výzkum a vývoj pokročilé křemíkové desky pro sub-mikronové technologie?, byly vyrobeny funkční vzorky křemíkových desek průměru 200 mm, orientace (111), slabě dopované bórem. V roce 2008 byla zpracována studie proveditelnosti výroby 200 mm desek, včetně odpovídající GAP analýzy procesu. V roce 2009 byl na základě objednávky zákazníka zahájen vývoj epitaxního růstu na deskách průměru 200 mm (substráty jsou nakupovány od externího dodavatele) a v Q1/2010 byl vývoj ukončen pilotním lotem 100 ks desek průměru 200 mm. Pro výrobu funkčních vzorků a pilotního lotu byla využita zařízení určená primárně pro 150 mm produkci. Smyslem předkládaného projektu je instalace zařízení určených pro200 mm desky. Realizace inovace je plánována směrem od výrobků a procesů s nejvyšší přidanou hodnotou (tj. Si desek s epitaxní vrstvou) s přechodem k výrobě vlastních leštěných Si desek. Projekt bude realizován ve vlastních prostorách společnosti.
Číslo projektu: |
CZ.1.03/4.1.00/14.00067 |
Integrované nástroje: |
|
Programové období: |
Strukturální 2007 - 2013 |
Název programu: |
OP Podnikání a inovace |
Termín zahájení: |
15.3.2011 |
Žadatel: |
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o. |
IČ: |
26821532 |
Financování |
|
Rozpočet celkem: |
328 250 000 |
z toho Příspěvek EU: |
100 448 425 |
Celkové národní veřejné: |
100 448 425 |
Soukromé národní: |
0 |
Soukromé: |
0 |
Místo realizace |
Rožnov pod Radhoštěm |
Zobrazit celou mapu